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双向可控硅十大使用准则
发布时间:2022-05-17 18:30
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本文摘要:由于结构较为简单仅有须要一个启动时电路就能展开工作,双向可控硅需要作为较为理想的交流电源器件来用于,应用于范围在近几年来有渐渐减小的趋势。本文将对保证闸流管和双向可控硅成功极致工作的十个条件展开讲解,协助大家完备设计。 准则1 为了导通闸流管(或双向可控硅),必需有门近于电流≧IGT,以后阻抗电流超过≧IL。这条件必需符合,并按有可能遇上的最低温度考虑到。 准则2 要插入(转换)闸流管(或双向可控硅),阻抗电流必需间,使能恢复至累计状态。

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由于结构较为简单仅有须要一个启动时电路就能展开工作,双向可控硅需要作为较为理想的交流电源器件来用于,应用于范围在近几年来有渐渐减小的趋势。本文将对保证闸流管和双向可控硅成功极致工作的十个条件展开讲解,协助大家完备设计。  准则1  为了导通闸流管(或双向可控硅),必需有门近于电流≧IGT,以后阻抗电流超过≧IL。这条件必需符合,并按有可能遇上的最低温度考虑到。

  准则2  要插入(转换)闸流管(或双向可控硅),阻抗电流必需间,使能恢复至累计状态。在有可能的最低运营温度下必需符合上述条件。  准则3  设计双向可控硅启动时电路时,只要有可能,就要避免3+象限(WT2-,+)。

  准则4  为增加杂波吸取,门近于连线长度降到低于。回到线必要连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。

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门极和MT1间特电阻1k或更加小。高频旁路电容和门极间串联电阻。另一解决办法,搭配H系列较低灵敏度双向可控硅。  规则5  若dVD/dt或dVCOM/dt有可能引发问题,在MT1和MT2间重新加入RC缓冲器电路。

若高dICOM/dt有可能引发问题,重新加入一几mH的电感和阻抗串联。另一种解决办法,使用Hi-Com双向可控硅。  准则6  假如双向可控硅的VDRM在相当严重的、出现异常的电源瞬间过程中有可能被远超过,使用下列措施之一:  阻抗上串联电感量为几H的不饱和电感,以容许dIT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源外侧减少滤波电路。

  准则7  搭配好的门极启动时电路,避免3+象限工况,可以最大限度提升双向可控硅的dIT/dt承受能力。  准则8  若双向可控硅的dIT/dt有可能被远超过,阻抗上最差串联一个几H的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性阻抗使用零电压导通。  准则9  器件相同到散热器时,防止让双向可控硅受到形变。

相同,然后焊引线。不要把铆钉芯轴放到器件模块片一侧。

  准则10  为了长年可信工作,不应确保Rthj-a充足较低,保持Tj不低于Tjmax,其值适当于有可能的最低环境温度。  本文罗列出有了十条对于闸流管和双向可控硅工作十分有益的建议。大家在用于闸流管或者双向可控硅之前可以不妨花上上几分钟来读者本文,坚信不会有意想不到的进账,从而协助大家全方位的理解双向可控硅并节约设计成本。


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