上期总结：SICMOSFET驱动电路设计阐述。为保证碳化硅（SiC）功率器件在短路、短路等工况下能安全可靠地工作，必需充分认识SiC器件的短路机理。

由于SICMOSFET晶圆面积小，电流密度大且短路能力较强，因此对电路维护拒绝更高。SICMOSFET驱动电路与现有的SI功率器件驱动电路互为相容，但其驱动电路中的短路维护部分较为难搞。一方面，在SIIGBT的数据手册中，短路电流及其与栅射级电压的关系曲线、短路忍受时间是被列出来的，但主流SICMOSFET的厂商在Datasheet中并没获取关于短路忍受时间与短路电流的数据。

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